功率器件環境老化試驗系統

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

      該試驗系統是依據 GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標準要求對器件測試，將柵與發射短接，在集電與發射間加上設定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，并可通過軟件輸入模塊結殼熱阻，結合產生的耗散功率，當溫度與漏電流過設定值后，切斷電源，給出信號。此設備是電力電子器件環境老化測試的重要檢測設備，用于驗證長期穩定情況下器件的漏電流。系統**測試電壓5000V（可擴展至10KV）。可以實現對IGBT器件集電-發射電壓Vce、集電發射電流Ices、殼溫Tc 、時間等各項參數的檢測，根據程序設定自動完成測試，記錄保存測試數據并且可以瀏覽和導出。

       測試夾具采用氣動控制單面加熱型。工作時通過溫控儀和其他控制系統設定溫度和時間，具備自動檢測溫度、溫報警、壓報警、過流保護及連鎖、緊停等功能，異常時切斷主電源。