【產(chǎn)品介紹】
技術(shù)參數(shù)：
1.分辨率:
二次電子:
高真空模式3.0nm @ 30kV, 8nm @ 3kV
高真空減速模式7nm @ 3kV (可選項)
低真空模式3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV
環(huán)境真空模式3.0nm @ 30kV
背散射電子4.0nm @ 30kV
2.樣品室壓力達2600Pa
3.加速電壓200V～30kV，連續(xù)調(diào)節(jié)
4.樣品臺移動范圍
Quanta 250: X=Y=50mm
Quanta 450: X=Y=100mm
Quanta 650: X=Y=150mm
主要特點：
1.FEI EM(環(huán)境掃描電鏡)技術(shù),可在高真空、低真空和環(huán)境真空條件下對各種樣品進行觀察和分析。
2.真空條件下的二次電子、背散射電子觀察和微觀分析。
3.的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)平臺，全數(shù)字化系統(tǒng)。
4.可同時安裝能譜儀、波譜儀和EBSP系統(tǒng)。
5.可安裝低溫冷臺、加熱臺、拉伸臺等進行樣品的原位、動態(tài)觀察和分析。
