產品參數：

現將它的特點歸納如下：
　　◎優點：、速度快，不配合內存刷新電路，可整體的工作效率。
　　◎缺點：集成度低，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以效率。
　　◎SRAM使用的系統：
　　○CPU與主存之間的緩存。
　　○CPU內部的L1/L2或外部的L2緩存。
　　○CPU外部擴充用的ST緩存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
　　SRAM主要用于二級緩存（Level2 C ache）。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
　　SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （Asynchrous SRAM,異步SRAM）、Sync SRAM （Synchrous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM, 流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
　　基本的SRAM的架構如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器（decode），靈敏放大器（Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。 SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

　　寶星微公司成立于95年，一直SST、ISSI、P、GLS、EXAR以及SDRAM~SAMSUNG、HYNIX產品的推廣及應用，致力于向通訊、工控以及電子消費類等領域提供技術支持及產品件供應。十多年以來，寶星微公司對產品質量的控制保持一貫嚴謹的作風，在業內積累起較高的信譽。

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　　主營范圍：專營：SST、ISSI、EXAR、P、GLS、SAMSUNG、DICOM、HYNIX、INTERSIL、SPANSION、等各類電子器件（R FLASH、NANA FLASH、8051MCU、SDRAM、SRAM、DDR），我們庫存量多。品種，質量，價格合理，交貨快捷，歡迎新老客戶前來洽談訂購，感謝你對我們的支持！