- 品牌/商標(biāo)：武漢中科宇晶光電Coreoptronics
武漢中科宇晶光電是一家國際的BBO晶體供應(yīng)商:
§ 優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品售前服務(wù)(的工程師根據(jù)客戶具體應(yīng)用需求推薦相應(yīng)的BBO晶體，接受客戶不同規(guī)格尺寸的BBO晶體定制)；
§ 優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品售后服務(wù)(快捷的退換貨服務(wù)和產(chǎn)品1年保修保證)；
§ 供應(yīng)大尺寸的BBO晶體(鍍制增透膜AR coating或保護(hù)膜P-coating)；
§ 供應(yīng)BBO晶體超薄片(鍍制增透膜AR coating或保護(hù)膜P-coating)；
§ 根據(jù)客戶需要為BBO晶體安裝支架；
§ 用于電光應(yīng)用(e/o)的鍍金B(yǎng)BO晶體；
§ 有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格及交期
公司不僅能給您提供性價(jià)比的產(chǎn)品，還有的工程師為您提供產(chǎn)品售前售后服務(wù)，歡迎隨時(shí)來電或email垂詢！
描述：
BBO晶體(β-BBO，β相偏硼酸鋇晶體，β-BaB2O4 )是具有綜合優(yōu)良性能的非線性光學(xué)晶體，其寬透明范圍和相匹配范圍，大的非線性系數(shù)，高的抗光損傷閾值、寬溫度帶寬以及優(yōu)越的光學(xué)均勻性，為各種非線性光學(xué)應(yīng)用提供了實(shí)際可能性。目前國際上主要用于將800nm左右鈦寶石激光器倍頻至400nm左右紫外光，和一些皮秒飛秒脈沖工業(yè)激光器的倍頻以及OPO系統(tǒng)，電光開關(guān)等。
BBO晶體的主要特點(diǎn)：
可實(shí)現(xiàn)相位匹配的波段范圍寬(409.6—3500nm);
寬透明范圍(190—3500nm);
倍頻轉(zhuǎn)換效率高(相當(dāng)于KDP晶體的6倍);
高損傷域值(100ps脈寬的1064nm 10GW/cm2);
光學(xué)均勻性好(dn10-6);
溫度接收角寬(≈55℃左右);
機(jī)械，物理性能好.
BBO晶體的主要應(yīng)用：
Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻;
染料激光器和鈦寶石激光器的二、三倍頻及和頻;
光學(xué)參量放大器(OPA)與光學(xué)參量振蕩器(OPO);
氬離子，紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻.
化學(xué)和結(jié)構(gòu)特性:
| 晶格結(jié)構(gòu) | 三角晶系, 空間群 R3c |
| 晶格參數(shù) | a=b=12.532, c=12.717 , z=6 |
| 熔點(diǎn) | 約1095℃ |
| 莫氏硬度 | 4 |
| 密度 | 3.85g/cm3 |
| 導(dǎo)熱性 | 1.2W/m/K(┴c): 1.6w/m/K(//c) |
| 熱膨脹系數(shù) | α,4x10-6/K; c,36x10-6/K |
光學(xué)以及非線性光學(xué)特性:
| 透光范圍 | 190-3500nm |
| 二次諧波可匹配范圍 | 409.6-3500nm(Type I) |
| 525-3500nm(Type II) | |
| 熱透鏡系數(shù)(/℃) | dno/dT=-9.3x 10-6/℃ |
| dne/dT=-16.6x 10-6/℃ | |
| 吸收系數(shù) | <0.1%/cm @ 1064nm |
| <1%/cm @ 532nm | |
| 接受角 | 0.8mrad-cm(θ, Type I,1064 SHG) |
| 1.27mrad-cm (θ, Type II,1064 SHG) | |
| 工作溫度 | 55℃-cm |
| 光譜范圍 | 1.1nm-cm |
| 走離角 | 2.7° (Type I 1064 SHG) |
| 3.2° (Type II 1064 SHG) | |
| 非線性系數(shù) | deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-22sin3Φ)cosθ |
| deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ | |
| 非零非線性磁化系數(shù) | d11=5.8xd36(KDP) |
| d31=0.05xd11 | |
| d22<0.05xd11 | |
| 塞耳邁耶爾方程(λ in μm ) | no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2 |
| ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2 | |
| 電光系數(shù) | r11=2.7pm/V, r22, r 31<0.1γ11 |
| 半波電壓 | 48Kv (at 1064nm) |
| 電阻率 | >1011 ohm-cm |
| 相關(guān)介電常數(shù) | εs11/so:6.7 |
| εs33/εo:8.1 | |
| Tan δ<0.001 |
BBO晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
| 尺寸公差 | (W±0.1mm) x ( H±0.1mm) x (L+0.2mm/-0.1mm) |
| 角度公差 | Δθ< 0.25°, Δφ< 0.25° |
| 平面度 | λ/10 @ 633nm |
| 波前畸變 | < λ/8 @ 633nm |
| 表面光潔度 | 10/5 scratch/dig |
| 平行度 | < 20 arc seconds |
| 垂直度 | < 5 arc minutes |
| 通光孔徑 | ≥中心直徑95% |
| 倒邊 | x 45°±5°chamfer |
| 鍍膜 | R < 0.2% @ 1064nm, R < 0.5% @ 532nm |
| 損傷閾值(AR鍍膜) | >0.5 GW/cm2 for 1064nm,TEM00,10ns,10HZ |
| >0.3 GW/cm for 532nm,TEM00,10ns,10HZ |
注：武漢中科宇晶光電可接受客戶不同尺寸規(guī)格的BBO晶體定制，也可根據(jù)客戶具體應(yīng)用需求推薦相應(yīng)的BBO晶體。
