PECVD等離子化學(xué)氣象沉積
設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的來反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
開啟式真空管式爐技術(shù)參數(shù) | |
石英管尺寸 | Φ100*L1200mm |
加熱元件 | 電阻絲 |
測溫元件 | N型熱電偶 |
加熱區(qū)/恒溫區(qū) | 440mm/200mm |
工作溫度 | ≤1100℃ |
控溫模式 | PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制 |
控溫 | ±1℃ |
電功率 | AC220V/50HZ/3KW |
質(zhì)量供氣系統(tǒng) | |
標(biāo)準(zhǔn)量程 | 50-500ml/min |
壓力表測量范圍 | -0.1Mpa～0.15Mpa |
限壓力 | 3MPa |
針閥 | 316不銹鋼 |
電功率 | AC220V/50HZ/20W |
響應(yīng)時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
重復(fù) | ±0.2% |
真空系統(tǒng)參數(shù) | |
工作電電壓 | 220V±10% 50~60HZ |
功率 | 400W |
限真空 | 4X10-1Pa |
進(jìn)/排氣口口徑 | KF25 |
射頻電源 | |
信號頻率 | 13.56 MHz±0.005% |
功率輸出范圍 | 5W-500W |
供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
整機(jī)效率 | >=70% |
