刻蝕設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位,可以實(shí)現(xiàn)納米級的精密刻蝕。對復(fù)雜微結(jié)構(gòu)的器件加工,微電子器件的制造提供重要支持,在芯片領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
設(shè)備尺寸:1200*1500*1800mm。
極限真空:優(yōu)于≤8.0×10-5Pa。
樣品尺寸:6英寸向下兼容。
刻蝕類型:物理刻蝕。
刻蝕氣體:Ar、O2。
刻蝕氣體流量:0~100sccm。
離子源類型:考夫曼直流離子源,角度可調(diào)。






